制造商型号: | DMN61D9UW-7 |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 60V 0.34A |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 自营 digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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DIODES(美台) DMN61D9UW-7
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DMN61D9UW-7 中文资料
数据手册PDF
DMN61D9UW-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 340 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 400 pC
耗散功率 440 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.4 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 1.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14.4 ns
典型接通延迟时间 2.1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
DMN61D9UW-7 引脚图与封装图
DMN61D9UW-7引脚图
DMN61D9UW-7封装焊盘图
品牌其他型号
DMN61D9UW-7品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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