制造商型号： | DMN62D0U-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 0.38A |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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DIODES(美台) DMN62D0U-7
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DMN62D0U-7 中文资料
数据手册PDF
DMN62D0U-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 380 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 590 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.5 ns
正向跨导（Min） 1.8 S
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.6 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 181129
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 3.989928 | 3.99 |
| 10 | 2.743076 | 27.43 |
| 100 | 1.340366 | 134.04 |
| 500 | 1.118428 | 559.21 |
| 1000 | 0.777163 | 777.16 |
品牌其他型号
DMN62D0U-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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