制造商型号: | SISS63DN-T1-GE3 |
制造商: | SILICONIX (威世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212-8S |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 digikey |
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SILICONIX(威世) SISS63DN-T1-GE3
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SISS63DN-T1-GE3 中文资料
数据手册PDF
SISS63DN-T1-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 127.5 A
漏源电阻 2.7 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 72.2 nC, 157.2 nC
耗散功率 65.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns, 70 ns
正向跨导(Min) 75 S
上升时间 28 ns, 60 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 80 ns, 100 ns
典型接通延迟时间 20 ns, 40 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
3000 | 2.975981 | 8927.94 |
6000 | 2.827189 | 16963.13 |
15000 | 2.781291 | 41719.36 |
品牌其他型号
SISS63DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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