制造商型号： | SQM60030E_GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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SILICONIX(威世) SQM60030E_GE3
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SQM60030E_GE3 中文资料
数据手册PDF
SQM60030E_GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 2.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 165 nC
耗散功率 375 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导（Min） 105 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 39 ns
典型接通延迟时间 19 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 800
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 45.986536 | 45.99 |
| 10 | 38.633675 | 386.34 |
| 100 | 31.252151 | 3125.22 |
品牌其他型号
SQM60030E_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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