制造商型号： | GAN063-650WSAQ |
制造商： | Nexperia (安世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | GAN063-650WSA/SOT429/TO-247 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Nexperia(安世) GAN063-650WSAQ
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GAN063-650WSAQ 中文资料
数据手册PDF
GAN063-650WSAQ 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 34.5 A
漏源电阻 60 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.4 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 143 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 934660022127
单位重量 6 g
库存： 516
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 253.208839 | 253.21 |
| 10 | 233.492989 | 2334.93 |
| 100 | 199.386648 | 19938.66 |
| 500 | 181.021553 | 90510.78 |
品牌其他型号
GAN063-650WSAQ品牌厂家：Nexperia
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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