制造商型号： | ZXMN6A11GTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) ZXMN6A11GTA
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ZXMN6A11GTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN6A11GTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 4.4 A
漏源电阻 120 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 5.7 nC
耗散功率 3.9 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
正向跨导（Min） 4.9 S
上升时间 3.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8.2 ns
典型接通延迟时间 1.95 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 112 mg
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥8.759816 总价：￥8.76 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.759816 | 8.76 |
| 10 | 7.70627 | 77.06 |
| 100 | 5.911692 | 591.17 |
| 500 | 4.67348 | 2336.74 |
品牌其他型号
ZXMN6A11GTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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