制造商型号: | BSH111BKR |
制造商: | Nexperia (安世) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 55V SOT-23 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Nexperia(安世) BSH111BKR
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BSH111BKR 中文资料
数据手册PDF
BSH111BKR 规格参数
关键信息
制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 210 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 600 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 364 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.8 ns
上升时间 8.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel Trench MOSFET
典型关闭延迟时间 12.6 ns
典型接通延迟时间 8.3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 934068056215
单位重量 8 mg
库存: 15418
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 3.364394 | 3.36 |
10 | 2.330154 | 23.30 |
100 | 1.135171 | 113.52 |
500 | 0.947264 | 473.63 |
1000 | 0.658176 | 658.18 |
品牌其他型号
BSH111BKR品牌厂家:Nexperia
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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