制造商型号： | ZVN4525GTA |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) ZVN4525GTA
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ZVN4525GTA 中文资料
数据手册PDF
ZVN4525GTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 310 mA
漏源电阻 8.5 Ohms
栅极电压 - 40 V, + 40 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 2.6 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导（Min） 0.3 S
上升时间 1.7 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 1.25 ns
外形参数
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
库存： 10614
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 11.312548 | 11.31 |
| 10 | 9.858077 | 98.58 |
| 100 | 6.822337 | 682.23 |
| 500 | 5.700529 | 2850.26 |
品牌其他型号
ZVN4525GTA品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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