制造商型号： | TSM220NB06LCR RLG |
制造商： | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM220NB06LCR RLG
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TSM220NB06LCR RLG 中文资料
数据手册PDF
TSM220NB06LCR RLG 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 23 nC
耗散功率 68 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 18 ns
正向跨导（Min） 36 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 Single N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 1 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM220NB06LCR
单位重量 372.608 mg
TSM220NB06LCR RLG 同类别型号
库存： 5000
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 9.637698 | 9.64 |
| 10 | 8.45152 | 84.52 |
| 25 | 7.942452 | 198.56 |
| 100 | 5.764085 | 576.41 |
| 250 | 5.559223 | 1389.81 |
| 500 | 4.816378 | 2408.19 |
| 1000 | 4.098988 | 4098.99 |
品牌其他型号
TSM220NB06LCR RLG品牌厂家：Taiwan Semiconductor
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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