制造商型号： | SIHB065N60E-GE3 |
制造商： | SILICONIX (威世) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET E SERIES 600V D2PAK (TO-2 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SILICONIX(威世) SIHB065N60E-GE3
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SIHB065N60E-GE3 中文资料
数据手册PDF
SIHB065N60E-GE3 规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 65 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 74 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导（Min） 12 S
上升时间 46 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 28 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥88.663542 总价：￥88.66 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 88.663542 | 88.66 |
| 10 | 80.140478 | 801.40 |
| 100 | 66.346135 | 6634.61 |
| 500 | 57.773118 | 28886.56 |
| 1000 | 50.318514 | 50318.51 |
| 2000 | 48.616979 | 97233.96 |
品牌其他型号
SIHB065N60E-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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