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SILICONIX(威世) SI7812DN-T1-GE3

SILICONIX(威世) SI7812DN-T1-GE3
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

SI7812DN-T1-GE3

制造商:

SILICONIX (威世)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 75V 16A 1212-8 PPAK

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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客服:

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SI7812DN-T1-GE3 中文资料

SI7812DN-T1-GE3 规格参数

关键信息

制造商 Vishay

商标名 TrenchFET

商标 Vishay Semiconductors

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 75 V

漏极电流 16 A

漏源电阻 37 mOhms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 1 V

栅极电荷 24 nC

耗散功率 52 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

外形参数

高度 1.04 mm

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

零件号别名 SI7812DN-GE3

单位重量 1 g

库存: 55820

货期:

工作日(7~10天)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:¥26.37507 总价:¥26.38
购买数量不足MPQ时,均为剪切带或散料出货。

价格(含增值税)

数量 单价 总价
1 26.37507 26.38
10 23.737564 237.38
100 19.079993 1908.00
500 15.676273 7838.14
1000 13.4367 13436.70
品牌其他型号
SI7812DN-T1-GE3品牌厂家:SILICONIX ,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个 ,可在锐单商城现货采购SI7812DN-T1-GE3、查询SI7812DN-T1-GE3代理商; SI7812DN-T1-GE3价格批发咨询客服;这里拥有 SI7812DN-T1-GE3中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、现货库存、封装信息、产品选型手册,还可快速找到 SI7812DN-T1-GE3替代型号SI7812DN-T1-GE3数据手册PDF