制造商型号： | DMT10H072LFDFQ-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET 61V~100V U-DFN2020-6 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMT10H072LFDFQ-7
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DMT10H072LFDFQ-7 中文资料
数据手册PDF
DMT10H072LFDFQ-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 62 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.3 ns
上升时间 3.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.3 ns
典型接通延迟时间 3 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 65 mg
DMT10H072LFDFQ-7 同类别型号
库存： 0
货期： | 8周-10周（咨询客服） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：￥8.508088 总价：￥8.51 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 8.508088 | 8.51 |
| 10 | 7.244028 | 72.44 |
| 100 | 5.409928 | 540.99 |
| 500 | 4.250155 | 2125.08 |
| 1000 | 3.284365 | 3284.37 |
品牌其他型号
DMT10H072LFDFQ-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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