制造商型号: | ZXMN2B01FTA |
制造商: | DIODES (美台) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
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DIODES(美台) ZXMN2B01FTA
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ZXMN2B01FTA 中文资料
数据手册PDF
ZXMN2B01FTA 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.4 A
漏源电阻 100 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 4.8 nC
耗散功率 806 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10.5 ns
正向跨导(Min) 6.1 S
上升时间 3.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 17.8 ns
典型接通延迟时间 3.6 ns
外形参数
高度 1.02 mm
长度 3.04 mm
宽度 1.4 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存: 51327
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 5.79371 | 5.79 |
10 | 4.71054 | 47.11 |
100 | 3.207954 | 320.80 |
500 | 2.405902 | 1202.95 |
1000 | 1.804364 | 1804.36 |
品牌其他型号
ZXMN2B01FTA品牌厂家:DIODES
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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