制造商型号： | DMN1019USN-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | 国内现货 自营 digikey |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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DIODES(美台) DMN1019USN-7
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DMN1019USN-7 中文资料
数据手册PDF
DMN1019USN-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 9.3 A
漏源电阻 10 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 350 mV
栅极电荷 27.3 nC
耗散功率 1.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16.8 ns
上升时间 57.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.2 ns
典型接通延迟时间 7.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
DMN1019USN-7 引脚图与封装图
DMN1019USN-7引脚图
DMN1019USN-7封装图
DMN1019USN-7封装焊盘图
库存： 有货
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 3000 | 0.86906 | 2607.18 |
| 6000 | 0.816391 | 4898.35 |
| 15000 | 0.763723 | 11455.85 |
| 30000 | 0.700507 | 21015.21 |
| 75000 | 0.67414 | 50560.50 |
品牌其他型号
DMN1019USN-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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