制造商型号： | DMN4060SVT-7 |
制造商： | DIODES (美台) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | MOSFET N-CH 45V 4.8A TSOT26 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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DIODES(美台) DMN4060SVT-7
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DMN4060SVT-7 中文资料
数据手册PDF
DMN4060SVT-7 规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 4.8 A
漏源电阻 46 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 22.4 nC
耗散功率 1.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 8.1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20.1 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8 mg
库存： 6819
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 5.233502 | 5.23 |
| 10 | 4.112038 | 41.12 |
| 100 | 2.463485 | 246.35 |
| 500 | 2.281061 | 1140.53 |
| 1000 | 1.551112 | 1551.11 |
品牌其他型号
DMN4060SVT-7品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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