制造商型号： | BFP 740FESD H6327 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | 射频(RF)双极晶体管 RF BI |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Infineon Technologies(英飞凌) BFP 740FESD H6327
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BFP 740FESD H6327 中文资料
数据手册PDF
BFP 740FESD H6327 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
晶体管类型 Bipolar
技术 SiGe
晶体管极性 NPN
工作频率 47 GHz
直流集电极 160
击穿电压(集电极-发射极) 4.2 V
集电极连续电流 45 mA
配置 Single
耗散功率 160 mW
物理类型
产品种类 射频(RF)双极晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF Bipolar Transistors
类型 RF Silicon Germanium
零件号别名 SP000890036 BFP74FESDH6327XT BFP740FESDH6327XTSA1
单位重量 1.800 mg
品牌其他型号
BFP 740FESD H6327品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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