制造商型号： | IPW60R160P6 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET HIGH POWER_LEGACY |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Infineon Technologies(英飞凌) IPW60R160P6
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IPW60R160P6 中文资料
数据手册PDF
IPW60R160P6 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 23.8 A
漏源电阻 144 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 44 nC
耗散功率 176 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.8 ns
上升时间 7.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 12.5 ns
外形参数
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP001017092 IPW60R160P6FKSA1
单位重量 6 g
品牌其他型号
IPW60R160P6品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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