制造商型号： | BCY58-VIII TIN/LEAD |
制造商： | Central Semiconductor Corp (美国中央) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 32Vcbo 7.0Vebo 100mA 340mW 1W |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
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Central Semiconductor Corp(美国中央) BCY58-VIII TIN/LEAD
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BCY58-VIII TIN/LEAD 中文资料
数据手册PDF
BCY58-VIII TIN/LEAD 规格参数
关键信息
制造商 Central Semiconductor
商标 Central Semiconductor
商标名 0
技术类参数
晶体管极性 NPN
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 32 V
集电极—基极电压 32 V
发射极 - 基极电压 7 V
饱和电压 0.35 V
最大直流电集电极电流 200 mA
耗散功率 340 mW
增益带宽产品 150 MHz
集电极连续电流 100 mA
直流集电极 20 at 10 uA, 5 V
直流电流增益（Max） 310 at 2 mA, 5 V
技术 Si
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 Through Hole
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
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BCY58-VIII TIN/LEAD品牌厂家：Central Semiconductor Corp
，所属分类： 未分类
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