制造商型号： | IPB80N03S4L-02 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-Ch 30V 80A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Infineon Technologies(英飞凌) IPB80N03S4L-02
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IPB80N03S4L-02 中文资料
数据手册PDF
IPB80N03S4L-02 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 2.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 140 nC
耗散功率 136 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 14 ns
外形参数
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP000273282 IPB8N3S4L2XT IPB80N03S4L02ATMA1
单位重量 4 g
IPB80N03S4L-02 同类别型号
品牌其他型号
IPB80N03S4L-02品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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