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Infineon Technologies(英飞凌) BSS139 H6327

Infineon Technologies(英飞凌) BSS139 H6327
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

BSS139 H6327

制造商:

Infineon Technologies (英飞凌)

产品类别:

未分类

商品描述:

MOSFET N-Ch 250V 30mA SOT-23-3

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

服务:

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BSS139 H6327 中文资料

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BSS139 H6327 规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 250 V

漏极电流 100 mA

漏源电阻 7.8 Ohms

栅极电压 - 20 V, + 20 V

栅源极阈值电压 2.1 V

栅极电荷 2.3 nC

耗散功率 360 mW

通道模式 Depletion

配置 Single

下降时间 182 ns

正向跨导(Min) 0.06 S

上升时间 5.4 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 29 ns

典型接通延迟时间 5.8 ns

外形参数

高度 1.1 mm

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 SP000702610 BSS139H6327XT BSS139H6327XTSA1

单位重量 8 mg

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

价格(含增值税)

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