制造商型号: | BSS139 H6327 |
制造商: | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别: | 未分类 |
商品描述: | MOSFET N-Ch 250V 30mA SOT-23-3 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | |
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Infineon Technologies(英飞凌) BSS139 H6327

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BSS139 H6327 中文资料
数据手册PDF
BSS139 H6327 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 100 mA
漏源电阻 7.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 2.3 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Depletion
配置 Single
下降时间 182 ns
正向跨导(Min) 0.06 S
上升时间 5.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 29 ns
典型接通延迟时间 5.8 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP000702610 BSS139H6327XT BSS139H6327XTSA1
单位重量 8 mg
品牌其他型号
BSS139 H6327品牌厂家:Infineon Technologies
,所属分类: 未分类
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