制造商型号： | GCMS080B120S1-E1 |
制造商： | SemiQ |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | 離散半導體模組 SiC 1200V 80mO MOSFET & 10A SBD SOT-227 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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SemiQ GCMS080B120S1-E1
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GCMS080B120S1-E1 规格参数
关键信息
制造商 SemiQ
产品 Power MOSFET Modules
商标 SemiQ
技术类参数
正向电压 1.5 V at 10 A
栅极电压 - 10 V, + 25 V
配置 Single
下降时间 14 ns
漏极电流 30 A
耗散功率 142 W
漏源电阻 77 mOhms
上升时间 4 ns
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 9 ns
漏源击穿电压 1200 V
栅源极阈值电压 2 V
物理类型
产品种类 分立半导体模块
类型 COPACK Power Module
安装风格 Screw Mounts
产品类型 Discrete Semiconductor Modules
库存： 46
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
