制造商型号： | BSZ097N04LS G |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Infineon Technologies(英飞凌) BSZ097N04LS G
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BSZ097N04LS G 中文资料
数据手册PDF
BSZ097N04LS G 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 14.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 35 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2.8 ns
正向跨导（Min） 24 S
上升时间 2.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 3.5 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSZ97N4LSGXT SP000388296 BSZ097N04LSGATMA1
单位重量 112.430 mg
品牌其他型号
BSZ097N04LS G品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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