制造商型号： | IPD30N03S4L-09 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Infineon Technologies(英飞凌) IPD30N03S4L-09
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IPD30N03S4L-09 中文资料
数据手册PDF
IPD30N03S4L-09 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 9 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 20 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 1 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP000415578 IPD3N3S4L9XT IPD30N03S4L09ATMA1
单位重量 330 mg
库存： 6022
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
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| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
IPD30N03S4L-09品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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