制造商型号： | IHW30N110R3 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | IGBT 電晶體 IGBT PRODUCTS |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
客服： | |
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Infineon Technologies(英飞凌) IHW30N110R3
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IHW30N110R3 中文资料
数据手册PDF
IHW30N110R3 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
商标名 TRENCHSTOP
技术类参数
技术 Si
配置 Single
击穿电压(集电极-发射极) 1100 V
饱和电压 1.55 V
栅极/发射极最大电压 20 V
在25 C的连续集电极电流 60 A
耗散功率 333 W
栅极—射极漏泄电流 100 nA
物理类型
产品种类 IGBT 晶体管
安装风格 Through Hole
产品类型 IGBT Transistors
零件号别名 IHW3N11R3XK SP000702510 IHW30N110R3FKSA1
单位重量 6.500 g
IHW30N110R3 引脚图与封装图
IHW30N110R3封装焊盘图
库存： 152
货期： | 工作日（7~10天） |
最小起订： | 1 个 |
整装： | ￥10 |
单价：咨询客服 总价：咨询客服 | |
| 购买数量不足MPQ时，均为剪切带或散料出货。 | |
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
品牌其他型号
IHW30N110R3品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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