制造商型号： | BSC0921NDI |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Infineon Technologies(英飞凌) BSC0921NDI
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BSC0921NDI 中文资料
数据手册PDF
BSC0921NDI 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 3.9 mOhms, 1.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 8.9 nC, 33 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 2.4 ns, 3.6 ns
正向跨导（Min） 38 S, 70 S
上升时间 3.4 ns, 5 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 1.8 ns, 5 ns
外形参数
高度 1.27 mm
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSC921NDIXT SP000934748 BSC0921NDIATMA1
单位重量 101.600 mg
品牌其他型号
BSC0921NDI品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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