制造商型号： | IPD90N04S3-H4 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
服务： | 锐单发货及售后，顺丰快递，在线客服 |
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Infineon Technologies(英飞凌) IPD90N04S3-H4
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IPD90N04S3-H4 中文资料
数据手册PDF
IPD90N04S3-H4 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 4.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 46 nC
耗散功率 115 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
外形参数
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 SP000415584 IPD9N4S3H4XT IPD90N04S3H4ATMA1
单位重量 330 mg
品牌其他型号
IPD90N04S3-H4品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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