制造商型号： | BSM100GD120DLC |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | IGBT 模組 1200V 100A 3-PHASE |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Infineon Technologies(英飞凌) BSM100GD120DLC
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BSM100GD120DLC 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
产品 IGBT Silicon Modules
商标 Infineon Technologies
技术类参数
配置 Hex
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V
饱和电压 2.1 V
在25 C的连续集电极电流 160 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
耗散功率 650 W
栅极/发射极最大电压 20 V
技术 Si
外形参数
高度 17 mm
长度 122 mm
宽度 62 mm
物理类型
产品种类 IGBT 模块
安装风格 Chassis Mount
产品类型 IGBT Modules
零件号别名 SP000100385 BSM100GD120DLCBOSA1
品牌其他型号
BSM100GD120DLC品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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