制造商型号: | IPLK60R600PFD7ATMA1 |
制造商: | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别: | 未分类 |
商品描述: | MOSFET N-CH 600V 7A THIN-PAK |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | 国内现货 |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
客服: | |
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Infineon Technologies(英飞凌) IPLK60R600PFD7ATMA1
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IPLK60R600PFD7ATMA1 中文资料
数据手册PDF
IPLK60R600PFD7ATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 7 A
漏源电阻 600 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 8.5 nC
耗散功率 45 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPLK60R600PFD7 SP004748882
IPLK60R600PFD7ATMA1 同类别型号
库存: 有货
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
5000 | 4.485962 | 22429.81 |
品牌其他型号
IPLK60R600PFD7ATMA1品牌厂家:Infineon Technologies
,所属分类: 未分类
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