制造商型号： | ISC0802NLSATMA1 |
制造商： | Infineon Technologies (英飞凌) |
产品类别： | 未分类 |
商品描述： | MOSFET N-CH 100V 22A/150A TDSON |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | |
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Infineon Technologies(英飞凌) ISC0802NLSATMA1
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ISC0802NLSATMA1 中文资料
数据手册PDF
ISC0802NLSATMA1 规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 150 A
漏源电阻 3.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.3 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 ISC0802NLS SP005430372
其它
发货限制：
库存： 15
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 13.506262 | 13.51 |
品牌其他型号
ISC0802NLSATMA1品牌厂家：Infineon Technologies
，所属分类： 未分类
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