制造商型号： | G2R1000MT17D |
制造商： | GENESIC (基因半导体公司) |
产品类别： | 晶体管-FET，MOSFET-单个 |
商品描述： | SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3 |
供货： | 货期 工作日（7-10天） |
渠道： | digikey |
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客服： | |
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GENESIC(基因半导体公司) G2R1000MT17D
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G2R1000MT17D 规格参数
关键信息
制造商 GeneSiC Semiconductor
商标 GeneSiC Semiconductor
产品 MOSFET
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1.7 kV
漏极电流 5 A
漏源电阻 1 Ohms
栅极电压 - 5 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 11 nC
耗散功率 44 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导（Min） 0.76 S
上升时间 19 ns
晶体管类型 MOSFET
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 11 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 SiC MOSFET
单位重量 6 g
库存： 5327
价格(含增值税)
| 数量 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | 67.673656 | 67.67 |
| 10 | 60.520649 | 605.21 |
| 25 | 57.870928 | 1446.77 |
| 100 | 54.076726 | 5407.67 |
| 250 | 51.713123 | 12928.28 |
| 500 | 49.98421 | 24992.10 |
| 1000 | 48.317249 | 48317.25 |
| 2500 | 46.202198 | 115505.50 |
品牌其他型号
G2R1000MT17D品牌厂家：GENESIC
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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