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CENTRAL(美国中央) CP406-CWDM3011N-WN

CENTRAL(美国中央) CP406-CWDM3011N-WN
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

CP406-CWDM3011N-WN

制造商:

CENTRAL (美国中央)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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CP406-CWDM3011N-WN 规格参数

属性
参数值

制造商型号

CP406-CWDM3011N-WN

制造商

CENTRAL(美国中央)

商品描述

MOSFET N-CH 11A 30V BARE DIE

系列

-

包装方式

Bulk

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

9.93A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

13mOhm @ 1A, 10V

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

1.15W (Ta)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

Die

封装/外壳

Die

漏源电压(Vdss)

30 V

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

价格(含增值税)

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1+ : 需询价
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