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CENTRAL(美国中央) CP775-CWDM3011P-WN

CENTRAL(美国中央) CP775-CWDM3011P-WN
图像仅供参考
请参阅产品规格

制造商型号:

CP775-CWDM3011P-WN

制造商:

CENTRAL (美国中央)

产品类别:

晶体管-FET,MOSFET-单个

商品描述:

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

供货:

货期 工作日(7-10天)

渠道:

digikey

服务:

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CP775-CWDM3011P-WN 规格参数

属性
参数值

制造商型号

CP775-CWDM3011P-WN

制造商

CENTRAL(美国中央)

商品描述

MOSFET P-CH 30V 11A DIE

系列

-

包装方式

Bulk

零件状态

Obsolete

FET 类型

P-Channel

技术

MOSFET (Metal Oxide)

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

11A (Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V, 10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

20mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

3V @ 250?A

Vgs(最大值)

±20V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

-

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

Die

封装/外壳

Die

漏源电压(Vdss)

30 V

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

80 nC @ 10 V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

3100 pF @ 8 V

库存: 0

货期:

8周-10周(咨询客服)

最小起订:

1 个

整装:

¥10
单价:咨询客服 总价:咨询客服

价格(含增值税)

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