品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-3PF-3L

系列： NGTG12N60TF1G

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

集电极—射极饱和电压： 1.6 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 24 A

Pd-功率耗散： 54 W

商标： onsemi

集电极连续电流： 20 A

栅极—射极漏泄电流： 100 nA

产品类型： IGBT Transistors

单位重量： 8 g

温度： ~