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NTMFD5C446NLT1G
授权代理品牌

T6 40V LL S08FL DS

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¥31.487512

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¥12.189741

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¥11.765381

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¥11.553201

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Digi-Key
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NTMFD5C446NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌
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¥49.308795

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NTMFD5C446NLT1G_射频晶体管
授权代理品牌
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¥74.511067

+100:

¥62.092556

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¥54.787549

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

NTMFD5C446NLT1G_射频晶体管
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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 175°C (TJ)

封装/外壳: 8-PowerTDFN

供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Mouser
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NTMFD5C446NLT1G_晶体管
NTMFD5C446NLT1G
授权代理品牌

T6 40V LL S08FL DS

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳: SO-8FL-Dual-8

系列:

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 145 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V

Qg-栅极电荷: 54 nC

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 15.2 ns

正向跨导 - 最小值: 138 S

产品类型: MOSFET

上升时间: 16.8 ns

典型关闭延迟时间: 34.9 ns

典型接通延迟时间: 14.8 ns

单位重量: 161.193 mg

温度: - 55 C~+ 175 C

NTMFD5C446NLT1G参数规格

属性 参数值
系列: -
安装类型: Surface Mount
工作温度: -55°C # 175°C (TJ)
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)