品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 9A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），55W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 9A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），55W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 9A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），55W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 18A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 65 毫欧 9A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 5 V

Vgs（最大值）： ±15V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 675 pF 25 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.1W（Ta），55W（Tj）

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： DPAK

封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 18A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 65mOhm @ 9A, 5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 2.1W (Ta), 55W (Tj)

Vgs(th) (Max) @ Id： 2V @ 250µA

Supplier Device Package： DPAK

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V

Vgs (Max)： ±15V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 22 nC @ 5 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 675 pF @ 25 V

品牌： onsemi

包装： MouseReel,Cut Tape,Reel

封装/外壳： TO-252-3

系列： NTD18N06L

产品种类： MOSFET

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

晶体管极性： N-Channel

通道数量： 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压： 60 V

Id-连续漏极电流： 18 A

Rds On-漏源导通电阻： 65 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压： - 5 V, + 5 V

Vgs th-栅源极阈值电压： 1 V

Qg-栅极电荷： 11 nC

Pd-功率耗散： 55 W

通道模式： Enhancement

商标： onsemi

配置： Single

下降时间： 38 ns

正向跨导 - 最小值： 13.5 S

高度： 2.38 mm

长度： 6.73 mm

产品类型： MOSFET

上升时间： 79 ns

晶体管类型： 1 N-Channel

类型： MOSFET

典型关闭延迟时间： 19 ns

典型接通延迟时间： 9.9 ns

宽度： 6.22 mm

单位重量： 330 mg

温度： - 55 C~+ 175 C