品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列： HGTG30N60B3D

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

集电极—射极饱和电压： 1.45 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 60 A

Pd-功率耗散： 208 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 60 A

集电极最大连续电流 Ic： 60 A

栅极—射极漏泄电流： +/- 250 nA

高度： 20.82 mm

长度： 15.87 mm

产品类型： IGBT Transistors

宽度： 4.82 mm

零件号别名： HGTG30N60B3D_NL

单位重量： 6.390 g

温度： - 55 C~+ 150 C