品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Not For New Designs

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 75 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 240 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.6V 15V, 30A

功率 - 最大值： 463 W

开关能量： 280µJ (on), 240µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 225 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/150ns

测试条件： 390V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Not For New Designs

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 75 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 240 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.6V 15V, 30A

功率 - 最大值： 463 W

开关能量： 280µJ (on), 240µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 225 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/150ns

测试条件： 390V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Not For New Designs

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 75 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 240 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.6V 15V, 30A

功率 - 最大值： 463 W

开关能量： 280µJ (on), 240µJ (off)

输入类型： Standard

栅极电荷： 225 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 25ns/150ns

测试条件： 390V, 30A, 3Ohm, 15V

反向恢复时间 (trr)： 55 ns

工作温度： -55°C # 150°C (TJ)

安装类型： Through Hole

封装/外壳： TO-247-3

供应商器件封装： TO-247-3

温度： -55°C # 150°C (TJ)

品牌： onsemi

包装： Tube

封装/外壳： TO-247-3

系列： HGTG30N60A4D

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： Through Hole

配置： Single

集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V

集电极—射极饱和电压： 1.8 V

栅极/发射极最大电压： 20 V

在25 C的连续集电极电流： 75 A

Pd-功率耗散： 463 W

商标： onsemi / Fairchild

集电极连续电流： 75 A

集电极最大连续电流 Ic： 75 A

栅极—射极漏泄电流： +/- 250 nA

高度： 20.82 mm

长度： 15.87 mm

产品类型： IGBT Transistors

宽度： 4.82 mm

零件号别名： HGTG30N60A4D_NL

单位重量： 6.390 g

温度： - 55 C~+ 150 C