HGT1S10N120BNST厂家价格_数据手册

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	HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥77.867726 +10：￥68.087819 +30：￥62.12153 +100：￥57.127768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册未分类	+1：￥18.444825 +10：￥15.80985 +30：￥13.833619 +100：￥11.64933 +500：￥11.066895	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册未分类	+800：￥14.418583	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥17.364375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+10：￥11.583428 +50：￥11.381885 +200：￥11.281172 +1000：￥11.180458 +3000：￥11.079745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+800：￥16.6698 +2400：￥16.253055 +4000：￥15.975225 +5600：￥15.83631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+800：￥12.474181 +1600：￥10.520436 +2400：￥9.994363 +5600：￥9.61869	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+800：￥35.74126 +1600：￥30.603584 +2400：￥28.816495	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB

HGT1S10N120BNST参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）:	1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.7V 15V，10A
功率 - 最大值:	298 W
开关能量:	320µJ（开），800µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	100 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	23ns/165ns
测试条件:	960V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	-
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	D²PAK（TO-263）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册未分类	+1：￥18.444825 +10：￥15.80985 +30：￥13.833619 +100：￥11.64933 +500：￥11.066895	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册未分类	+800：￥14.418583	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥17.364375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+10：￥11.583428 +50：￥11.381885 +200：￥11.281172 +1000：￥11.180458 +3000：￥11.079745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）
HGT1S10N120BNST ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 1200V 35A 298W TO263AB 下载数据手册晶体管-IGBT	+800：￥16.6698 +2400：￥16.253055 +4000：￥15.975225 +5600：￥15.83631	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 35 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 80 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.7V 15V，10A 功率 - 最大值： 298 W 开关能量： 320µJ（开），800µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 100 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 23ns/165ns 测试条件： 960V，10A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： - 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： D²PAK（TO-263）温度： -55°C # 150°C（TJ）