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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGD3N60UNDF ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 6A 60W DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥4.831339 +200：￥1.869518 +500：￥1.806501 +1000：￥1.774992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 9 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.52V 15V，3A 功率 - 最大值： 60 W 开关能量： 52µJ（开），30µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 1.6 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 5.5ns/22ns 测试条件： 400V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 21 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： TO-252AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGD3N60UNDF ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 6A 60W DPAK 下载数据手册未分类	+2500：￥39.651104	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 9 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.52V 15V，3A 功率 - 最大值： 60 W 开关能量： 52µJ（开），30µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 1.6 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 5.5ns/22ns 测试条件： 400V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 21 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： TO-252AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGD3N60UNDF ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 6A 60W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+2500：￥3.035966 +5000：￥2.884177 +12500：￥2.775732	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 9 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.52V 15V，3A 功率 - 最大值： 60 W 开关能量： 52µJ（开），30µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 1.6 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 5.5ns/22ns 测试条件： 400V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 21 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： TO-252AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
FGD3N60UNDF ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 6A 60W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+2500：￥7.426778 +5000：￥7.05546 +12500：￥6.790175	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 IGBT 类型： NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）： 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 6 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 9 A 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.52V 15V，3A 功率 - 最大值： 60 W 开关能量： 52µJ（开），30µJ（关）输入类型：标准栅极电荷： 1.6 nC 25°C 时 Td（开/关）值： 5.5ns/22ns 测试条件： 400V，3A，10 欧姆，15V 反向恢复时间 (trr)： 21 ns 工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装： TO-252AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
FGD3N60UNDF ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 6A 60W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥17.52119 +10：￥15.652262 +100：￥12.201237 +500：￥10.079226 +1000：￥7.957216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)
FGD3N60UNDF ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 6A 60W DPAK 下载数据手册晶体管-IGBT	+1：￥17.52119 +10：￥15.652262 +100：￥12.201237 +500：￥10.079226 +1000：￥7.957216	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252, (D-Pak)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGD3N60UNDF ON(安森美) 授权代理品牌	IGBT 600V 6A 60W DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥19.170698 +10：￥17.182626 +100：￥13.362686 +500：￥11.033802 +1000：￥8.719117	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： onsemi 包装： MouseReel,Cut Tape,Reel 封装/外壳： DPAK-3 系列： FGD3N60UNDF 产品种类： IGBT 晶体管技术： Si 安装风格： SMD/SMT 配置： Single 集电极—发射极最大电压 VCEO： 600 V 集电极—射极饱和电压： 2.4 V 栅极/发射极最大电压： 20 V 在25 C的连续集电极电流： 6 A Pd-功率耗散： 60 W 商标： onsemi / Fairchild 集电极最大连续电流 Ic： 3 A 栅极—射极漏泄电流： 10 uA 产品类型： IGBT Transistors 单位重量： 260.370 mg 温度： - 55 C~+ 150 C

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	FGD3N60UNDF 授权代理品牌	Trans IGBT Chip N-CH 600V 6A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥5.967319	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

FGD3N60UNDF参数规格

属性	参数值
品牌:	onsemi
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
IGBT 类型:	NPT
电压 - 集射极击穿（最大值）:	600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	6 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):	9 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）:	2.52V 15V，3A
功率 - 最大值:	60 W
开关能量:	52µJ（开），30µJ（关）
输入类型:	标准
栅极电荷:	1.6 nC
25°C 时 Td（开/关）值:	5.5ns/22ns
测试条件:	400V，3A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr):	21 ns
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装:	TO-252AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）