品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.81V 15V，40A

功率 - 最大值： 268 W

开关能量： 1.22mJ（开），440µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 68 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/64ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 101 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.81V 15V，40A

功率 - 最大值： 268 W

开关能量： 1.22mJ（开），440µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 68 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/64ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 101 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 120 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 1.81V 15V，40A

功率 - 最大值： 268 W

开关能量： 1.22mJ（开），440µJ（关）

输入类型： 标准

栅极电荷： 68 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 18ns/64ns

测试条件： 400V，40A，6 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 101 ns

工作温度： -55°C # 175°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3

供应商器件封装： TO-3PN

温度： -55°C # 175°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： TO-3P-3, SC-65-3

Mounting Type： Through Hole

Operating Temperature： -55°C # 175°C (TJ)

Input Type： Standard

Reverse Recovery Time (trr)： 101 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 1.81V @ 15V, 40A

Supplier Device Package： TO-3PN

IGBT Type： Trench Field Stop

Td (on/off) @ 25°C： 18ns/64ns

Switching Energy： 1.22mJ (on), 440µJ (off)

Test Condition： 400V, 40A, 6Ohm, 15V

Gate Charge： 68 nC

Part Status： Active

Current - Collector (Ic) (Max)： 80 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 650 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 120 A

Power - Max： 268 W