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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGB20N60SF_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

FGB20N60SF_晶体管-IGBT
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IGBT 600V 40A 208W D2PAK

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

FGB20N60SF_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

晶体管-IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: D²PAK

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
FGB20N60SF_晶体管
FGB20N60SF
授权代理品牌

IGBT 600V 40A 208W D2PAK

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: onsemi

包装: Cut Tape,Reel

封装/外壳: SC-70-3

系列: FGB20N60SF

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 2.2 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 40 A

Pd-功率耗散: 208 W

商标: onsemi / Fairchild

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

产品类型: IGBT Transistors

单位重量: 1.312 g

温度: ~

FGB20N60SF参数规格

属性 参数值
系列: -
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK