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UMB4NTN_null
UMB4NTN
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

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¥1.142208

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¥0.698976

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¥0.52848

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

自营 国内现货
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UMB4NTN_晶体管-双极
授权代理品牌

TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

晶体管-双极

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件封装: UMT6

温度:

Digi-Key
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UMB4NTN_晶体管-双极
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TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6

晶体管-双极

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品牌: Rohm Semiconductor

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晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA, 10mA

电流 - 集电极截止(最大值): -

频率 - 跃迁: 250MHz

功率 - 最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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晶体管-双极

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晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

功率-最大值: 150mW

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UMB4NTN_晶体管
UMB4NTN
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晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

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零件状态: Active

晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA, 10mA

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频率 - 跃迁: 250MHz

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封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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UMB4NTN参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: Active
晶体管类型: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
电阻器 - 基极 (R1): 10kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): -
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 100 1mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止(最大值): -
频率 - 跃迁: 250MHz
功率 - 最大值: 150mW
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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