品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 7V 2.5V，100A

功率 - 最大值： -

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-ECH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 7V 2.5V，100A

功率 - 最大值： -

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SMD，扁平引线

供应商器件封装： 8-ECH

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： Cut Tape,Reel

封装/外壳： ECH-8

系列： TIG065E8

产品种类： IGBT 晶体管

技术： Si

安装风格： SMD/SMT

配置： Single Quad Collector Triple Emitter

集电极—发射极最大电压 VCEO： 400 V

集电极—射极饱和电压： 4.2 V

栅极/发射极最大电压： 4 V

在25 C的连续集电极电流： 150 A

商标： onsemi

集电极最大连续电流 Ic： 150 A

栅极—射极漏泄电流： 10 uA

产品类型： IGBT Transistors

温度： - 40 C~+ 150 C