品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 8 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 800 mV 4 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF 10V（VGS）

电阻 - RDS(On)： 60 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

FET 类型： N 通道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： 30 V

漏源电压（Vdss）： -

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： 8 mA 15 V

漏极电流 (Id) - 最大值： -

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： 800 mV 4 nA

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18pF 10V（VGS）

电阻 - RDS(On)： 60 Ohms

功率 - 最大值： 350 mW

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装： TO-92-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）