品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 5V 4V，150A

功率 - 最大值： 1.2 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： 150°C（TJ）

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 5V 4V，150A

功率 - 最大值： 1.2 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Bulk

Package / Case： 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Input Type： Standard

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic： 5V @ 4V, 150A

Supplier Device Package： 8-SOIC

IGBT Type： -

Td (on/off) @ 25°C： -

Switching Energy： -

Test Condition： -

Part Status： Obsolete

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 400 V

Current - Collector Pulsed (Icm)： 150 A

Power - Max： 1.2 W

品牌： onsemi

包装： 散装,剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 400 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 150 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 5V 4V，150A

功率 - 最大值： 1.2 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： -

25°C 时 Td（开/关）值： -

测试条件： -

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

供应商器件封装： 8-SOIC

温度： 150°C（TJ）