TK14G65W,RQ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK14G65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.942577 +10：￥15.615069 +30：￥14.150815 +100：￥12.653779 +500：￥11.976288	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 690µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK14G65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥28.647839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 690µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	TK14G65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥6.346483 +2000：￥6.029224 +5000：￥5.802493 +10000：￥5.782167	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 690µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
TK14G65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥15.525179 +2000：￥14.749078 +5000：￥14.194434 +10000：￥14.144712	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 690µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）
TK14G65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.718576 +10：￥27.174994 +100：￥21.624265 +500：￥18.297543	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK
TK14G65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥32.718576 +10：￥27.174994 +100：￥21.624265 +500：￥18.297543	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： DTMOSIV 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： D2PAK

Mouser

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	TK14G65W,RQ Toshiba(东芝) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Toshiba Semiconductor and Storage 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： DTMOSIV 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 650 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 690µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 35 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1300 pF 300 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 130W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： D2PAK 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

TK14G65W,RQ参数规格

属性	参数值
品牌:	Toshiba Semiconductor and Storage
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	DTMOSIV
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 6.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 690µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	35 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1300 pF 300 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	130W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	D2PAK
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	150°C（TJ）