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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RGTH50TS65DGC11_晶体管-IGBT
RGTH50TS65DGC11
授权代理品牌

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

晶体管-IGBT

+1:

¥49.555169

+210:

¥19.778359

+510:

¥19.111795

+990:

¥18.783977

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 100 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,25A

功率 - 最大值: 174 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 49 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/94ns

测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 58 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247N

温度: -40°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RGTH50TS65DGC11_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

晶体管-IGBT

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¥18.243225

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¥16.401528

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¥15.50732

+100:

¥12.405393

+250:

¥11.716205

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 100 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,25A

功率 - 最大值: 174 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 49 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/94ns

测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 58 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247N

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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RGTH50TS65DGC11_晶体管-IGBT
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IGBT 650V 50A 174W TO-247N

晶体管-IGBT

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¥44.627762

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¥37.935014

+100:

¥30.346879

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¥28.660941

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 100 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,25A

功率 - 最大值: 174 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 49 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/94ns

测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 58 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247N

温度: -40°C # 175°C(TJ)

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RGTH50TS65DGC11_晶体管
RGTH50TS65DGC11
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晶体管

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货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 100 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,25A

功率 - 最大值: 174 W

开关能量: -

输入类型: 标准

栅极电荷: 49 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/94ns

测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 58 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247N

温度: -40°C # 175°C(TJ)

RGTH50TS65DGC11参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 100 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V 15V,25A
功率 - 最大值: 174 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 49 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 27ns/94ns
测试条件: 400V,25A,10欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 58 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247N
温度: -40°C # 175°C(TJ)