品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 430 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.0V 5V，10A

功率 - 最大值： 125 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 22 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 500ns/4µs

测试条件： 300V，8A，100 欧姆，5V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： LPDS

温度： -40°C # 175°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 430 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.0V 5V，10A

功率 - 最大值： 125 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 22 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 500ns/4µs

测试条件： 300V，8A，100 欧姆，5V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： LPDS

温度： -40°C # 175°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 430 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.0V 5V，10A

功率 - 最大值： 125 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 22 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 500ns/4µs

测试条件： 300V，8A，100 欧姆，5V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： LPDS

温度： -40°C # 175°C（TJ）

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： Automotive, AEC-Q101

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： 430 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 30 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： -

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.0V 5V，10A

功率 - 最大值： 125 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 22 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 500ns/4µs

测试条件： 300V，8A，100 欧姆，5V

反向恢复时间 (trr)： -

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： LPDS

温度： -40°C # 175°C（TJ）