品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 不适用于新设计

IGBT 类型： 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）： 650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 8 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)： 12 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）： 2.1V 15V，4A

功率 - 最大值： 65 W

开关能量： -

输入类型： 标准

栅极电荷： 13.5 nC

25°C 时 Td（开/关）值： 17ns/69ns

测试条件： 400V，4A，50欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)： 40 ns

工作温度： -40°C # 175°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： LPDS

温度： -40°C # 175°C（TJ）