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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RGW80TS65DGC11_晶体管-IGBT
RGW80TS65DGC11
授权代理品牌

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

晶体管-IGBT

+1:

¥66.16462

+210:

¥26.400284

+510:

¥25.526103

+990:

¥25.089012

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 78 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,40A

功率 - 最大值: 214 W

开关能量: 760µJ(开),720µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 110 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 44ns/143ns

测试条件: 400V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 92 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247N

温度: -40°C # 175°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RGW80TS65DGC11_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

晶体管-IGBT

+1:

¥36.302006

+10:

¥32.599645

+100:

¥26.710283

+500:

¥22.737823

+1000:

¥19.383273

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 78 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,40A

功率 - 最大值: 214 W

开关能量: 760µJ(开),720µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 110 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 44ns/143ns

测试条件: 400V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 92 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247N

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Digi-Key
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RGW80TS65DGC11_晶体管-IGBT
授权代理品牌

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

晶体管-IGBT

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¥88.804325

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¥79.747369

+100:

¥65.34043

+500:

¥55.622739

+1000:

¥47.416622

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 78 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,40A

功率 - 最大值: 214 W

开关能量: 760µJ(开),720µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 110 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 44ns/143ns

测试条件: 400V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 92 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247N

温度: -40°C # 175°C(TJ)

Mouser
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RGW80TS65DGC11_未分类
RGW80TS65DGC11
授权代理品牌

IGBT TRNCH FIELD 650V 78A TO247N

未分类

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¥104.856217

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¥94.258193

+25:

¥89.119756

+100:

¥77.237122

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 78 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,40A

功率 - 最大值: 214 W

开关能量: 760µJ(开),720µJ(关)

输入类型: 标准

栅极电荷: 110 nC

25°C 时 Td(开/关)值: 44ns/143ns

测试条件: 400V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr): 92 ns

工作温度: -40°C # 175°C(TJ)

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-247-3

供应商器件封装: TO-247N

温度: -40°C # 175°C(TJ)

RGW80TS65DGC11参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 78 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V 15V,40A
功率 - 最大值: 214 W
开关能量: 760µJ(开),720µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 110 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 44ns/143ns
测试条件: 400V,40A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 92 ns
工作温度: -40°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247N
温度: -40°C # 175°C(TJ)